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- 91320583791083438F
- 在业
- 有限责任公司(外国法人独资)
- 2006-09-22
- 钟荣昌
- 600万美元
- 2006-09-22 至 2056-09-21
- 昆山市市场监督管理局
- 2016-02-23
- 江苏省昆山市花桥镇逢星路555号
- 园林机械、机具新技术设备制造；汽车、摩托车模具（含冲模、注塑模、模压模等）、夹具（焊装夹具、检验夹具）设计、制造；汽、柴油发动机、汽车灯、电动工具、发电机、高压清洗机、花园灯、LED各种照明灯（室内外灯）路灯及辅助灯、太阳能模组及其相关设备（太阳能发电机）制造以及相关配套产品（充电器、镇流器等）生产和上述产品所用包装材料生产；销售自产产品。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 昆山正富机械工业有限公司 | www.jennfeng.com |
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN102145385A | 不含界面活性剂及溶剂的铜铟镓硒浆料的调配方法 | 2011.08.10 | 本发明是有关一种不含界面活性剂及溶剂的铜铟镓硒浆料的调配方法，是混合含有IB、IIIA及VIA族元素 |
| 2 | CN101901852A | 不含界面活性剂的太阳能吸收层浆料的制造方法及应用 | 2010.12.01 | 本发明是有关于一种不含界面活性剂的太阳能吸收层粉末浆料的制造方法及其所制作的该浆料和太阳能吸收层，包 |
| 3 | CN201655827U | 非真空制作铜铟镓硒光吸收层的装置 | 2010.11.24 | 本实用新型涉及一种制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的装置，特别是一种非真空制作铜铟镓硒光吸收层的装置，包 |
| 4 | CN101853885A | 太阳能吸收层浆料的制造方法、该浆料及吸收层 | 2010.10.06 | 本发明是有关于一种太阳能吸收层浆料的制造方法、该浆料及吸收层。该太阳能吸收层浆料的制造方法，包含步骤 |
| 5 | CN101840958A | 一种非真空制作铜铟镓硒浆料的方法 | 2010.09.22 | 本发明是有关于一种非真空制作铜铟镓硒浆料的方法，其主要是在调配铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料时，使用含 |
| 6 | CN101840960A | 多段式硫化镉薄膜沉积方法 | 2010.09.22 | 本发明是有关于一种多段式硫化镉薄膜沉积方法沉积包含步骤：将一含有太阳能光吸收层的基板置于一具有硫离子 |
| 7 | CN101840959A | 太阳能吸收层的浆料的制造方法、太阳能吸收层及其浆料 | 2010.09.22 | 本发明是有关于一种太阳能吸收层的浆料的制造方法、太阳能吸收层及其浆料。该太阳能吸收层的浆料的制造方法 |
| 8 | CN101840957A | 非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法 | 2010.09.22 | 本发明是有关于一种非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法，其主要是在调配铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料时，使 |
| 9 | CN101826574A | 非真空制作铜铟镓硒光吸收层的方法 | 2010.09.08 | 本发明是有关一种非真空制作铜铟镓硒光吸收层的方法，用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层，该方法包括 |
| 10 | CN101820029A | 非真空制作铜铟镓硒和/或硫的太阳能电池 | 2010.09.01 | 本发明涉及一种铜铟镓硒和/或硫太阳能电池的制作方法，特别是一种非真空制作铜铟镓硒和/或硫的太阳能电池 |
| 11 | CN101820030A | 非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法 | 2010.09.01 | 本发明涉及一种铜铟镓硒和/或硫光吸收层的制作方法，特别是一种非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法 |
| 12 | CN101820026A | 非真空制作铜铟镓硒浆料的方法 | 2010.09.01 | 本发明是有关于一种非真空制作铜铟镓硒浆料的方法，包括混合不同平均粒径且具有IB、IIIA及VIA族元 |
| 13 | CN101820032A | 一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法 | 2010.09.01 | 本发明是有关于一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法，其主要是在调配铜铟镓硒或铜铟镓硒( |
| 14 | CN101820031A | 无粘接剂及活性剂的铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层制造方法 | 2010.09.01 | 本发明涉及一种铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层的制造方法，特别是一种无粘接剂及活性剂的铜铟镓硒和/或硫光 |
| 15 | CN101820028A | 多段式硫化镉薄膜沉积方法 | 2010.09.01 | 本发明是有关于一种多段式硫化镉薄膜沉积方法，包含以下步骤：步骤一：将一含有光吸收层的基板置于一具有硫 |
| 16 | CN101818375A | 以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法 | 2010.09.01 | 本发明是有关于一种以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，其包括以下步骤：首先依据配方比例，调 |
| 17 | CN101820025A | 以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法 | 2010.09.01 | 本发明是有关于一种以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，其主要包括以下步骤：首先依据配方比例 |
| 18 | CN101820024A | 多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法 | 2010.09.01 | 本发明是有关于一种多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，为一种非真空制作方法，用以在非真空下一钼层 |
| 19 | CN101820027A | 多段式硫化镉薄膜沉积方法 | 2010.09.01 | 本发明是有关于一种多段式硫化镉薄膜沉积方法，至少包含以下步骤：将一含有光吸收层的基板置于一具有第一硫 |
| 20 | CN101789470A | 非真空制作铜铟镓硒吸收层的方法 | 2010.07.28 | 本发明是有关一种非真空制作铜铟镓硒吸收层的方法，用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层，包括以下步骤 |
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